【个人简介】
罗小蓉教授为“长江学者奖励计划”特聘教授，国防卓越青年科学基金获得者、教育部新世纪优秀人才支持计划获得者及四川省有突出贡献的优秀专家，获国家科技进步二等奖2项、省部级科技成果奖共5项。罗小蓉教授作为首席科学家主持基础加强计划重点基础研究项目（X73重点项目），主持国家自然科学基金区域联合基金重点、面上项目、国防科技卓越青年科学基金项目、国防科技创新特区项目、国家科技重大专项和重点研发计划课题等40余项，在宽禁带氮化镓半导体器件理论模型与新结构设计、工艺实验与集成技术方面积累了丰富的经验；已发表SCI检索期刊文章140余篇，以第一作者或通讯作者在国际权威期刊IEEETPE、IEEE EDL、IEEE TED等发表论文50余篇；以第一发明人申请发明专利100余项，授权发明专利90余项，含美国专利6项；出版专著和教材共4部。
【研究方向】
气象传感芯片、功率半导体器件与集成技术
【在研和完成项目】
(1) JWKJW X73重点项目（首席科学家），2021-173-ZD-XXX，2021.11至2024.11，1990万元，结题，主持
(2)国家自然科学基金区域创新发展联合基金重点项目，U25A20493，新型氮化镓功率器件及其高频高效电源应用基础与关键技术，2026.01至2029.12，直接经费260万元，在研，主持
(3)国家自然科学基金区域创新发展联合基金重点项目，U20A20208，新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究，2021.01至2024.12，直接经费260万元，结题，主持
(4) JWKJW国防科技卓越青年科学基金（人才计划项目），2018-JCJQ-ZQ-XXX，XXXX电源变换关键技术研究，2019-01至2023-12，500万元，结题，主持
(5) JWKJW国防科技创新特区项目，23-TS04-XXX，2023.12至2025.10，400万元，在研，主持
（6）国家自然科学基金面上项目，61874149，对称极化掺杂增强型功率GaN HFET机理与工艺实现研究，2019.01至2022.12，64万元，结题，主持
【代表性论文】
1)Gaoqiang Deng, Xihao Bi, Jingyu Shen, Renkuan Liu, Yingyi Yan, Cheng Yang, Xintong Xie, Jie Wei, Bo Zhang, Chenyan Zheng, Yuanan Liu, andXiaorong Luo*. Enhancing Buck Converter Efficiency by Using GaN/Si Hybrid Switches to Suppress Dynamic On-State Resistance.IEEE Transactions on Power Electronics40, 10: 14425–14436,2025.(A1)
2)Renkuan Liu, Hui Li,Xiaorong Luo*, Ran Yao, Wei Lai, Jie Wei, Xiao Wang, Zhaoji Li, Bo Zhang, and Xianping Chen. Improving Short-Circuit Withstand Capability by Targeted Optimization Package for Press-Pack IGBT Module.IEEE Transactions on Power Electronics39, 10: 12534–12541, 2024.(A1)
3)Xiaorong Luo*, Junyue Huang, Xu Song, Qinfeng Jiang, Jie Wei, Jian Fang, and Fei Yang. Novel SiC SBD-wall-integrated trench MOSFET with a semi-superjunction and split trench gate.Science China Information Sciences65, 6: 169404, 2022.(A1)
4)Gaoqiang Deng, Xihao Bi, Chao Yang, Benfa Luo, Xintong Xie, Jianghuan Li, Bo Zhang, Jiang Wu, andXiaorong Luo*. 2025. GaN HEMT/Si MOSFET Hybrid Switch with Suppressed Dynamic ON-Resistance and Enhanced Avalanche Robustness.IEEE Electron Device Letters,Early Acess, 2025.(A2)
5)Xintong Xie, Shuxiang Sun, Jingyu Shen, Renkuan Liu, Gaoqiang Deng, Cheng Yang, Xin Zhou, Jie Wei, Bo Zhang, andXiaorong Luo*. Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardness for p-GaN HEMTs Under Off-State With Negative Gate Voltage.IEEE Electron Device Letters46, 5: 709–712,2025.(A2)
6)Chunxu Su, Hong Zhou, Kun Zhang, Chenlu Wang, Sihan Sun, Hehe Gong, Jiandong Ye, Zhihong Liu, Kui Dang, Zheyuan Hu, Xiaodong Zhang, Jie Wei,Xiaorong Luo*, Jincheng Zhang, Rong Zhang, and Yue Hao. Low turn-on voltage and 2.3 kVβ-Ga2O3heterojunction barrier Schottky diodes with Mo anode.Applied Physics Letters124, 17: 173506,2024.(A2)
【出版专著】
1)新型高压低功耗氧化镓功率器件机理与实验研究，电子科技大学出版社，2025
【授权专利】
1)罗小蓉，魏雨夕，彭小松，魏杰，杨可萌，郝琳瑶，蒋卓林.具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管,中国,发明专利, ZL202211051682.X, 2025-09-19.
2)魏杰，赵智家，彭小松，杨可萌，孙涛，郗路凡，邓思宇，廖德尊，张成，贾艳江，罗小蓉.一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件,中国,发明专利, ZL202210829743.4, 2025-08-19.
3)魏杰，赵智家，邓思宇，杨可萌，郗路凡，孙涛，廖德尊，张成，贾艳江，罗小蓉.一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法,中国,发明专利, ZL202210829590.3, 2025-04-21
4)魏杰，戴恺纬，朱鹏臣，王俊楠，杨可萌，罗小蓉，孙燕.一种横向低功耗功率器件,中国,发明专利, ZL202211163432.5, 2025-09-12.
5)薛刚，魏杰，赵智家，谢欣桐，孙涛，贾艳江，邓思宇，罗小蓉.一种采用选择性外延工艺的GaNCMOS反相器的制造方法,中国,发明专利, ZL202211402622.8,2025-08-19.
6)魏杰，朱鹏臣，王俊楠，杨可萌，戴恺纬，李杰，卢金龙，罗小蓉.一种自适应性高压低损耗功率器件,中国,发明专利, ZL202211453126.5, 2025-04-18.
7)魏杰，朱鹏臣，王俊楠，杨可萌，戴恺纬，李杰，卢金龙，罗小蓉.一种自适应性高压低损耗功率器件,中国,发明专利, ZL202211453120.8, 2025-04-18.
【获奖情况】
1.2023年度获国家科技进步二等奖
2.2021年度入选教育部“长江学者奖励计划”特聘教授
3.2020年度获爱思唯尔中国高被引学者
4.2020年度获四川省技术发明二等奖
【联系方式】
电子邮箱：xrluo@uestc.edu.cn
